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東北大学 太陽電池用Si結晶基板の新しい品質評価方法を開発

皆様に有用な太陽光発電業界情報をお知らせします。

東北大学は7月26日、東北大学金属材料研究所の、藩 伍根博士らが太陽電池用Si結晶基板の新しい品質評価方法「電流変調四探針抵抗率測定法」を開発した事を発表した。

一般的な四探針抵抗率測定法はSi結晶の抵抗率を測定するために用いられるが、今回開発した方法は、この四探針抵抗率測定法に使用する装置を応用してSi 結晶基板の品質を瞬時に評価する方法となっている。

この評価方法は、太陽電池を作製しなくても太陽電池特性を判定することが可能な、従来に無い新しい評価方法だ。
太陽電池用Si結晶基板の品質評価のみならず、太陽電池製造技術の優劣をも評価できる方法であり、次世代シリコン太陽電池の低コスト化・高効率化および太陽電池産業の発展に大きく貢献する技術となる。

今回開発した評価方法の利点として、簡便な方法でSi結晶基板の品質評価が可能な点、Si結晶基板全体の品質が反映された品質評価値(結晶品質パラメータ)の測定が可能な点、結晶品質パラメータにより太陽電池のエネルギー変換効率の予測が可能な点、太陽電池を製造する前にSi結晶基板の善し悪しの判定が可能な点が挙げられる。
また、一般的な四探針抵抗率測定装置を基本としているので、測定装置のコストが低いのも特徴だ。

今回の研究開発成果は、上記のような利点から太陽電池産業界への広範な用途が考えられる。
東北大学は今後、実用サイズ基板の評価に最適な、四探針プローブの開発、変調電流および測定電圧の高精度化を進め、実用化を加速する方針だ。

情報参照元:東北大学

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